Транзисторы для видеокарты в Казахстане
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока...
Видеокарта Gigabyte GV-N730D5-2GL Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: nVidia Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 730 Кодовое имя GPU: GK208 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение...
Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 20 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Мощность:...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Ширина видеокартыдвухслотовая система охлажденияПартномерNEAT7300HD46-2080HВерсия разъема HDMI1.4Максимальное энергопотребление30Длина видеокарты115Система охлажденияпассивное (радиатор)Рекомендуемая производителем мощность БП300Разъемы дополнительного питаниябез дополнительного питанияРазъемов D-SUB1Разъемов HDMI1Частота видеопамяти1804Разрядность шины видеопамяти64Макс. разрешение по горизонтали2560Макс. разрешение по вертикали1600Техпроцесс28 нмТип поставкиRetРазъемов...
Бренд: PALIT Размер (видеокарты): NV RTX 3070TI Для геймеров: ДА Ссылка на сайт поставщика/вендора: https://eu.palit.com/palit/vgapro.php?id=4288&lang=de&pn=NED307TT19P2-1047G&tab=sp Длина упаковки (ед): 0.38 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.38x0.1x0.22 Ширина упаковки (ед): 0.1 Объем упаковки...
Ускорьте работу ПК с видеокартой NVIDIA GeForce GT 1030. Признанная архитектура NVIDIA Pascal, современный движок и технологии обеспечат производительность, необходимую для работы с самыми требовательными приложениями. Видеокарта GeForce GT 1030...
Корпус: TO-220 Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24.3 A Общий заряд затвора (Qg): 104.9...
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120...
-
-
-
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Видеокарта Gigabyte GV-N730D3-2GI 3.0 Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: NVIDIA Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 730 Кодовое имя GPU: GF108 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное...
Производитель GPU: nVidia Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 710 Кодовое имя GPU: GK208 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение (вертикаль): 2160 Частота GPU: Частота работы...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Максимальная рабочая температура: +150 °C Максимальный непрерывный ток стока: 37 A Тип корпуса: TO-247 Максимальное рассеяние мощности: 357 Вт Минимальная рабочая температура: -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage: 3V Максимальное...
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: NVIDIA Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 730 Кодовое имя GPU: GF108 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 2560 Максимальное разрешение (вертикаль): 1600 Частота...
Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: NVIDIA Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 210 Кодовое имя GPU: GT218 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение (вертикаль): 2160 Частота...
Комплектация: OEM область применения: игровая тип памяти: GDDR6X частота памяти: 1219 МГц шина обмена с памятью: 384 бит разъем дополнительного питания: 8 pin + 8 pin
Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3
Транзисторы КТ856А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не...
N Channel, Id=64A, Vds=55V, Rds(on)=0.014ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=94W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Микроархитектура NVIDIA AMPERE Абсолютно новая микроархитектура NVIDIA Ampere демонстрирует потрясающую производительность благодаря усовершенствованным RT-ядрам 2-поколения в сценах с трассировкой лучей и тензорным ядрам 3-поколения, на фоне значительного прироста пропускной способности...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к тем, которые применяются в интегральных схемах LSI, что обеспечивает оптимальное использование кремния и приводит...
Транзистор 13003 в корпусе ТО-220 тип: транзистор
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база...
Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: NVIDIA Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 730 Кодовое имя GPU: GF108 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение (вертикаль): 2160 Частота...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Видеокарта Afox AF220-1024D3L2 Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: nVidia Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT220 Кодовое имя GPU: GT216 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение (вертикаль):...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Название Видеокарта MSI PCI-E N210-1GD3-LP NV GF210 1024Mb 64 DDR3 460-800 DVIx1-HDMIx1-CRTx1 Ret low profile. Название видеокарты NVIDIA GeForce 210. Разработчик видеокарты NVIDIA. Линейка GeForce. Техпроцесс 28 нм. Тип подключения...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный...
Высота(см) 4 длина(см) 21 масса(кг) 0.7 ширина(см) 14 D-Sub 1 DVI 1 GTD Number 10005030/150323/3064663 GTIN 04897033780339 HDMI 1 Low Hash Rate Нет Cтрана-производитель Китай Партномер AF220-1024D3L2 RAMDAC 400 МГц...
Тип: GDDR6 Тип охлаждения: Активное Комплект поставки: Видеокарта, инструкция по установке Эффективная частота: 16000 МГц Ссылка на описание на сайте производителя: www. sapphiretech. com Техпроцесс: 7 нм Интерфейс: PCI-E x16...
Название видеокарты NVIDIA GeForce RTX 2060 Разработчик видеокарты NVIDIA Линейка GeForce Техпроцесс 12 нм Тип подключения PCI Express 3.0 Количество поддерживаемых мониторов 3 Максимальное разрешение 7680x4320 Частота видеопроцессора 1650 МГц...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NPN 40В/0.02А/0.625Вт/800МГц характеристики Прочие Бренд Korea Electronics Вес г. 0.4 Тип Корпуса TO-92-3
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус:...
Ширина (см): 14 Тип: Видеокарта Назначение: Для дома и офиса Подсветка: Нет Тип охлаждения: Активное вентиляторное Ширина упаковки (см): 28.5 Система охлаждения: Кастомная Количество вентиляторов (шт): 1 Объем видеопамяти: 4096...
Техническое описание Общие характеристики Тип: видеокарта Предназначена для майнинга (добыча криптовалют): нет LHR: нет Графический процессор: GeForce GT 710 Микроархитектура: NVIDIA Kepler Техпроцесс: 28 нм Спецификации видеопамяти Объем видеопамяти: 2...
Масса(кг) 0.6 D-Sub 1 DVI 1 GTD Number 10005030/190123/3013340 GTIN 04897033780292 HDMI 1 Cтрана-производитель Китай Партномер AF210-1024D3L5-V2 RAMDAC 2x 400 МГц Вес брутто (грамм) 309 Вывод звука видеокарты NVIDIA HDMI...
Техническое описание Общие характеристики Тип: видеокарта Предназначена для майнинга (добыча криптовалют): нет LHR: нет Графический процессор: GeForce GT 740 Микроархитектура: NVIDIA Kepler Техпроцесс: 28 нм Спецификации видеопамяти Объем видеопамяти: 4...
Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.07 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Наименование прибора: IRF1010E Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Максимально допустимый...
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка AO4612, цена от 61.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Транзисторы КТ856А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4...
Транзисторы КТ921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются...
Название Видеокарта AFOX GeForce 210 1 GB (AF210-1024D3L5). Категория Видеокарты. Для майнинга нет. Графический процессор NVIDIA GeForce 210. Код производителя AF210-1024D3L5. Интерфейс PCI-E 16x 2.0. Кодовое название графического процессора GT218....
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 30 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Транзисторы КТ921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются...