Силовые транзисторы на инвертор в Казахстане
Многофункциональный автомобильный инвертор с высокой мощностью и охлаждающим вентилятором для кемпинга / самостоятельной поездки Baseus BS-CI30-02 IGBT Power Inverter 300W (220 В CN/EU). Особенности: Технология IGBT: новая технология IGBT, мощностью...
RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к тем, которые применяются в интегральных схемах LSI, что обеспечивает оптимальное использование кремния и приводит...
Тип: Электронные компоненты
Транзисторная пара A2222 и C6144 для восстановления работоспособности платы принтеров и МФУ Epson Данные транзисторы - силовые ключи, управляющие питанием на печатающую головку, по этому они часто выходят из строя...
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень...
Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать...
П214А Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах...
SM7320 это сдвоенный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) широко используемый в компьютерной индустрии в системах питания GPU, CPU и других DC-DC преобразователях. тип: Электронные компоненты-запчасти
Ac-38717, 5503DM, Транзистор N-канальный, TO-263, ABC, Транзисторы, Биполярные с изолированным затвором (IGBTs), ON Semiconductor,, NP-FET SMD 5503DM orig TO263 (блок управления двигателем Форд/FORD) драйвер катушек зажигания Авто блок управл. двигателем...
Оригинальные силовые IGBT транзисторы GT30F124 производства компании Toshiba. Рассчитаны на напряжение до 300В и ток до 30А. Корпус: TO-220SIS. IGBT транзисторы обладают свойствами полярных и биполярных транзисторов, так как образовались...
Тип: Электронные компоненты
Универсальный повышающий преобразователь MT3608. Простой повышающий преобразователь на основе микросхемы MT3608 получил широкое распространение среди радиолюбителей. Его применение зачастую необходимо для построения различных самодельных приборов, пауэрбанков, автомобильных зарядных устройств и...
Драйвер на базе 2-х MOSFET транзисторов D4184. Позволяет получить ШИМ до 36В, используется для светодиодных фонарей, двигателей постоянного тока, помп. Характеристики: Рабочее напряжение: 3.3-20В Выходное напряжение: 0-36 В Выходной ток...
Тип: Электронные компоненты
Тип: Электронные компоненты
Описание IRF9610PBF - это силовой МОП-транзистор с P-каналом на -200 В, в котором используется передовая технология HEXFET. Эффективная геометрия и уникальная обработка конструкции HEXFET обеспечивают очень низкое сопротивление в открытом...
IGBT, Icp=200A, Vce(sat)=2,3V, Pd=25W, V(br)ceo=300V GBT 30F124 — это высоковольтный и сильноточный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), используемый в приложениях силовой электроники. Он обычно используется для управления двигателем, преобразования...
Основные технические параметры КП809А-2: КП809А-2 Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах,...
Два транзистора в комплекте! IGBT+Z 375V, 20A, 125W (Logic-Level, for Ignition) Напряжение кэ: 440 V Максимальный ток кэ при 25гр. С: 50 A Максимальный ток кэ при 100гр. С: 20...
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть...
Конструктор Регулируемая Электронная нагрузка 300Вт для испытания блоков питания. Напряжение: до 30 Вольт ( макс ). Ток: 10 Ампер ( макс ). Для работы устройства для транзистора необходим массивный радиатор...
Транзисторы ГТ403Ж германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего...
Ac-29, IPD60R360P7ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 9 А, 0.305 Ом, TO-252 DPAK, Surface Mount, ABC, Транзисторы, МОП-транзисторы, Infineon Technologies количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Товар сертифицирован - Да Тип устройства - сварочный инвертор Типы сварки - ручная дуговая сварка (MMA) Сварочный ток (MMA) - 10-160 А Напряжение холостого хода - 82 В Количество фаз...
Переносной сварочный инвертор Eland MMA-200 I предназначен для ручной дуговой сварки. Сварочный инвертор характеризуется высокой эффективностью, энергосбережением, отличными функциональными характеристиками при небольших габаритах и массе. Так же, инвертор оснащен специальной...
Полуавтоматическая сварка (MIG/MAG) нет Ручная дуговая сварка (MMA) да Аргонодуговая сварка (TIG) нет Тип аппарата инвертор Дополнительные функции форсаж дуги, горячий старт, антиприлипание Тип тока постоянный Основные характеристики Тип аппарата...
Тип транзистора: IGBT Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic|@25℃, A: 40 Напряжение насыщения...
Частотный преобразователь Canroon подходит для общих случаев применения силового оборудования малых и средних размеров мощностью до 11 кВт. Является оптимальным по соотношению цена-качество при применении в ОВиК для управления электродвигателями...
Транзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего...
Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А...
Сварочный аппарат инверторный Vniissok MMA-200 IGBT предназначен для ручной дуговой сварки плавящимся металлическим электродом (сварка MMA) различного покрытия (основным, рутиловым, целлюлозным и т. д.) с использованием постоянного тока. Служит для...
В комплекте 2 штуки новых микросхем DIP7 TNY277PN микросхема (2 шт.) DIP-7 аналог TNY277PG схема TNY177PN характеристики цоколевка datasheet TNY287PG TNY277PN, Преобразователь AC-DC, 13-23 Вт, [DIP-8С] TNY277P является энергоэффективным оффлайн...
Полупроводниковый, силовой, выпрямительный, низкочастотный, штыревого исполнения с жёстким выводом, прямой полярности. Предназначен для работы в силовых цепях постоянного и переменного тока частотой до 1,5 кГц и силе тока не более...
Полуавтоматическая сварка (MIG/MAG) нет Ручная дуговая сварка (MMA) да Аргонодуговая сварка (TIG) нет Тип аппарата инвертор Дополнительные функции форсаж дуги, горячий старт, антиприлипание Тип тока постоянный Основные характеристики Тип аппарата...
ШИМ-контроллер со встроенным ключом, 700 В, 100 кГц, 19 Вт Технические параметры Серия str-a6000 Тип преобразователя flyback Наличие изоляции выхода Есть Наличие внутреннего коммутатора Есть Максимальное напряжение силового ключа, В...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Полуавтоматическая сварка (MIG/MAG) нет Ручная дуговая сварка (MMA) да Аргонодуговая сварка (TIG) нет Тип аппарата инвертор Дополнительные функции горячий старт, антиприлипание Тип тока постоянный Основные характеристики Тип аппарата сварочный инвертор...
Мощный сварочный аппарат предназначен для ручной электродуговой сварки с применением плавких электродов (ММА). Электронные компоненты и микропроцессорное управление сварочным током обеспечивают малые вес и габариты, стабильность характеристик и оперативное подстраивание...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
Модуль на базе MOSFET транзистора D4184 с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в...
Тип: Электронные компоненты
TIP35C Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 А, 125 Вт является комплементарным силовым транзистором в корпусе TO-247-3. Это устройство изготовлено с использованием планарной технологии с разводкой «base island», что обеспечивает...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
Технические характеристики: Тип преобразователя: buck, buck-boost, flyback Корпус DIP-8 Сопротивление в открытом состоянии 27,6Ом Входное напряжение 85.265В Выходной ток 120.170мА Номинальная мощность 12 мВт Максимальная скважность преобразователя 72 % Максимальное...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус:...
MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 150...
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100...
Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они...
Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в...
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
Автомобильный инвертор Telwin CONVERTER 310 USB просто необходим в дальней дороге! Сочетает в себе розетку 220В и 2-а USB разъема, что позволяют одновременно работать с различными типами устройств - GPS...
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П214А: • Структура транзистора: p-n-p...
Тип: Электронные компоненты
N Channel, Id=64A, Vds=55V, Rds(on)=0.014ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=94W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120...